RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
19.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
16.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
65
Rund um -141% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,806.8
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
16.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
932
3827
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link