RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
65
Rund um -124% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,806.8
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
12.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
932
3287
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link