RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
64
65
Rund um -2% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
2,784.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
64
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,806.8
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
8.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
932
1965
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link