RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
65
81
Rund um 20% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.5
4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.6
2,784.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
81
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,806.8
8.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
5.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
932
1651
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Transcend Information TS256MLK64V3N 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link