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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
65
Rund um -67% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
2,784.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,806.8
13.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
9.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
932
2529
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
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