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Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
56
Rund um -40% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
1,501.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
4200
Rund um 5.07 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,161.0
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,501.2
13.7
Speicherbandbreite, mbps
4200
21300
Other
Beschreibung
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
381
2959
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
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G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
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SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
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