RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
52
Rund um -68% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
1,906.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,672.4
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,906.4
12.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
698
3222
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link