RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
52
Rund um -126% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
1,906.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,672.4
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,906.4
12.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
698
2785
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link