RAM-Vergleich Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Gesamtnote

Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

52 56

Rund um 7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

4 20.1

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

10.5 1,906.4

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 6400

Rund um 3 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

698 2455

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns