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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
101
Rund um 64% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
6.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
101
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
6.7
Speicherbandbreite, mbps
17000
19200
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2569
1311
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
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