RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
9.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
36
Rund um -29% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
12.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
9.9
Speicherbandbreite, mbps
17000
17000
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2569
2490
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link