RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
36
Rund um -64% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
12.7
Speicherbandbreite, mbps
17000
17000
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2569
3135
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
‹
›
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link