RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
36
Rund um -64% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
13.0
Speicherbandbreite, mbps
17000
19200
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2569
3115
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link