RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
36
Rund um -57% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
11.7
Speicherbandbreite, mbps
17000
17000
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2569
2495
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link