RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
36
Rund um -33% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.9
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.7
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
18.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
14.7
Speicherbandbreite, mbps
17000
17000
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2569
3418
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link