RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
36
Rund um -24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
14.2
Speicherbandbreite, mbps
17000
17000
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2569
3563
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
UMAX Technology 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link