RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
36
Rund um -33% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.4
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
17.4
Speicherbandbreite, mbps
17000
21300
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2569
3845
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link