RAM-Vergleich Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Gesamtnote

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

15 12.7

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

10.3 6.3

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

24 36

Rund um -50% geringere Latenzzeit

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2569 2256

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns