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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
8.1
Speicherbandbreite, mbps
17000
25600
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2569
2332
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
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