RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
36
Rund um -20% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
17000
Rund um 1.38 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
13.1
Speicherbandbreite, mbps
17000
23400
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2569
3310
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link