RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
38
Rund um 5% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
9.2
Speicherbandbreite, mbps
17000
17000
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2569
2434
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link