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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
13
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
36
Rund um -20% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
13.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
6.1
Speicherbandbreite, mbps
17000
17000
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2569
2317
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
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