RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
36
Rund um -29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
12.3
Speicherbandbreite, mbps
17000
19200
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2569
3273
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link