RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
36
Rund um 6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
11.1
Speicherbandbreite, mbps
17000
19200
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2763
2800
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link