Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB

Gesamtnote
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Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

Gesamtnote
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G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB

G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB

Unterschiede

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
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G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    25 left arrow 34
    Rund um -36% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.2 left arrow 15.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.6 left arrow 11.5
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    34 left arrow 25
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.4 left arrow 16.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    11.5 left arrow 12.6
  • Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2763 left arrow 3187
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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