RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
35
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
12.0
Speicherbandbreite, mbps
17000
21300
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2613
2952
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link