RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
36
Rund um 8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
8.7
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
2231
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link