RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
48
Rund um 31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
48
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
12.1
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
2080
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link