RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
16.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
33
Rund um -57% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
12.2
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
3332
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link