RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
16
33
Rund um -106% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.2
17.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.7
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
16
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
22.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
17.7
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
3834
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link