RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
33
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
13.1
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
3268
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
SK Hynix HYMP351F72AMP4N3Y5 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link