RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
33
Rund um -27% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.9
17.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.0
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
18.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
14.0
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
3456
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link