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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
35
Rund um 6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
13.2
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
3299
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
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Kingston 9905625-139.A00G 16GB
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Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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