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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
33
Rund um -27% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.4
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
2758
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
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