RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
38
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
10.5
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
3017
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link