RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
16.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
33
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.4
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
14.4
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
3166
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link