RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
33
Rund um -14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.3
17.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.0
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
19.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
16.0
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
3687
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link