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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
14
33
Rund um -136% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
26.4
17.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
19.8
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
14
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
26.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
19.8
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
4362
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CAS Latency (CL) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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