RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
35
Rund um 6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.2
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
2672
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link