RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
36
Rund um 8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
9.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
7.2
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
2220
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link