Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB

Gesamtnote
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Gesamtnote
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB

Unterschiede

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    33 left arrow 36
    Rund um 8% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    17.6 left arrow 14.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.0 left arrow 10.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 19200
    Rund um 1.33% höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    33 left arrow 36
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    17.6 left arrow 14.9
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.0 left arrow 10.5
  • Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2910 left arrow 2589
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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