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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
33
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
12.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
9.1
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
2347
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Kingston K531R8-MIN 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
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G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
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