RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
98
Rund um 66% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
7.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
98
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
7.0
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
1447
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link