RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
96
Rund um 66% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
96
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
10.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
5.9
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
1211
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link