RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
39
Rund um 15% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
10.2
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
2359
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link