RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
33
Rund um -14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.2
17.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.7
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
19.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
15.7
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
3400
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link