RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Gesamtnote
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
10.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
36
Rund um -16% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
10.0
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2497
2408
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston KHX1866C9D3/4GX 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link