RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gesamtnote
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
36
Rund um -6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
11.6
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2497
2917
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link