Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Gesamtnote
star star star star star
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB

Unterschiede

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Einen Fehler melden
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    11.8 left arrow 11.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    29 left arrow 36
    Rund um -24% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.9 left arrow 15.8
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    36 left arrow 29
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.8 left arrow 16.9
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    11.8 left arrow 11.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2497 left arrow 3167
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche