RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Gesamtnote
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gesamtnote
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
36
Rund um -64% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
11.9
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2497
3112
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link